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根據(jù)摩爾( Moore)定律，半導(dǎo)體芯片中可容納的晶體管數(shù)目，大約每隔18個(gè)月便翻一番，性能也將提升一倍。芯片內(nèi)晶體管的特征尺寸每年都在減小，這也導(dǎo)致晶體管的密度不斷增大，這樣一來，芯片內(nèi)部模塊集成度越來越高，測(cè)試的復(fù)雜度也逐漸升級(jí)。在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，測(cè)試成為貫穿于集成電路設(shè)計(jì)、制造、保證芯片質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)，而漏電流是半導(dǎo)體測(cè)試極其重要的一項(xiàng)參數(shù)。

半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)過程中，需要加入雜質(zhì)離子，這樣一來就難免會(huì)產(chǎn)生漏電流。漏電流過大，導(dǎo)致器件測(cè)試過程中功耗增加，溫度升高，溫度一升高又加劇內(nèi)部漏電流增大，從而形成惡性循環(huán)，不但增加了電源系統(tǒng)的功耗，產(chǎn)生過多的噪聲干擾，也在一定程度上縮短了半導(dǎo)體器件的使用壽命。

日本進(jìn)口MOS FET光耦繼電器模塊G3VM-21MT，采用了T型電路結(jié)構(gòu)，當(dāng)主電路斷開，子電路閉合時(shí)，漏電流可以低至1pA以下，特別適合應(yīng)用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中。

產(chǎn)品特性

采用超小型SMD封裝，外形緊湊，節(jié)省了PCB布局空間。

通過T型電路設(shè)計(jì)，漏電流1pA以下，極大地減少了接入被測(cè)器件的漏電流。

由三個(gè)MOS FET繼電器組成1組常開觸點(diǎn)(SPST-NO) + T開關(guān)功能。

優(yōu)秀的高頻特性，1.5GHz時(shí)絕緣值高達(dá)20dB以上。

可靠性高，壽命長。

電氣參數(shù)：

主要應(yīng)用：

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

數(shù)據(jù)記錄儀

信號(hào)發(fā)生器

廣州鼎悅電子科技有限公司，提供(OMRON)多達(dá)200多種以上規(guī)格的MOS FET系列光耦繼電器，產(chǎn)品豐富，配合超低漏電流型G3VM-21MT以及新推出的電壓驅(qū)動(dòng)型G3VM-31QV和G3VM-61QV，給您的產(chǎn)品設(shè)計(jì)選型提供了更多選擇。