元器件&模塊解決方案
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2020-04-15
隨著歐姆龍光耦繼電器G3VM-21MT的發(fā)布，我們可以了解下它的特征及應用領域：
特點
（* 1）MOS FET ＝金屬氧化物半導體場效應晶體管（一種場效應晶體管）。
（* 2）根據(jù)我們自己的研究，截止到2019年4月，采用“ T型電路結構”的繼電器模塊將多個不同的MOS FET繼電器組合在一起。
（* 3）電子設備中通常使用的電路結構，例如衰減器，以更大程度地減小泄漏電流。
（* 4）電路內部發(fā)生的一種情況，電流通過絕緣層泄漏，否則會阻止電流通過。
（* 5）通過纏繞在玻璃管上的線圈的磁通量來切換（斷開和閉合）位于玻璃管中的兩個帶有觸點的簧片。
特征
1．通過將泄漏電流減小到1pA或更低來提高設備的可靠性
泄漏電流一直是半導體繼電器的長期缺點，G3VM-21MT通過將泄漏最小化到1pA或更低來解決該問題。
G3VM-21MT成功地實現(xiàn)了低于或等于0.1pA的實際性能，同時將對應用測量精度的影響降至最低。
２．更長的生命周期和顯著降低的維護頻率
G3VM-21MT繼電器模塊的輸出電路由不使用物理觸點的半導體MOS FET繼電器組成，因此無需對觸點進行維護以防磨損，因為不會產(chǎn)生電弧放電打開和關閉電路。
３．縮小的安裝空間-通過節(jié)省空間和節(jié)省
布線的方式實現(xiàn)高密度安裝 G3VM-21MT通過將輸入和輸出電路的復雜接線圖納入內部模塊，實現(xiàn)了5mm×3.75mm×2.7mm的緊湊尺寸，從而簡化了PCB布線的應用程序。
應用領域
